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上海佳驰功率研发出全球首款安培级增强型垂直氧化镓 MOSFET
[News] World’s First Ampere-Level Vertical Gallium Oxide MOSFET Developed
AI 导读
上海佳驰功率完成垂直氧化镓 MOSFET 芯片首期流片与验证，称其为全球首个导通电流超过 1 A 的增强型垂直氧化镓 MOSFET。实测导通电流 1.2 A，比导通电阻 33 mΩ·cm²，阈值电压 3.9 V，面向 750 V 电压等级，击穿电压超过 900 V，漏电流低于 3 μA。公司通过自对准离子注入工艺与自有元胞和终端结构应对 p 型掺杂难题，后续将推进芯片开发、客户送样和量产工艺建设。
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