嘉驰功率流片验证全球首个安培级增强型垂直氧化镓MOSFET
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嘉驰功率流片验证全球首个安培级增强型垂直氧化镓MOSFET
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上海佳驰功率完成垂直氧化镓MOSFET芯片首期流片与验证，称其为全球首个导通电流超过1 A的增强型垂直氧化镓MOSFET。该说法来自公司方，目前为公司自称，尚待第三方或量产环节进一步验证。 实测数据方面：导通电流1.2 A，比导通电阻33 mΩ·cm²，阈值电压3.9 V，面向750 V电压等级，击穿电压超过900 V，漏电流低于3 μA。氧化镓器件此前受p型掺杂难题制约，公司通过自对准离子注入工艺与自有元胞和终端结构来应对。 下一步公司将推进芯片开发、客户送样和量产工艺建设。氧化镓作为新型功率半导体材料，若安培级垂直器件能走向量产，将拓展其在功率器件领域的应用空间。
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最新进展10月27日 07:30
上海佳驰功率研发出全球首款安培级增强型垂直氧化镓 MOSFET报道时间线
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10月27日
- TrendForce上海佳驰功率研发出全球首款安培级增强型垂直氧化镓 MOSFET
上海佳驰功率完成垂直氧化镓 MOSFET 芯片首期流片与验证，称其为全球首个导通电流超过 1 A 的增强型垂直氧化镓 MOSFET。实测导通电流 1.2 A，比导通电阻 33 mΩ·cm²，阈值电压 3.9 V，面向 750 V 电压等级，击穿电压超过 900 V，漏电流低于 3 μA。公司通过自对准离子注入工艺与自有元胞和终端结构应对 p 型掺杂难题，后续将推进芯片开发、客户送样和量产工艺建设。
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