Kioxia披露MSA-CBA设计：铜键合堆叠218层晶圆冲击1000层3D NAND
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Kioxia披露MSA-CBA设计：铜键合堆叠218层晶圆冲击1000层3D NAND
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Kioxia 公布用于超高密度 3D NAND 闪存 BiCS Flash 的 MSA-CBA 设计：采用铜直接键合，将多片 218 层存储阵列晶圆堆叠到 CMOS 晶圆上，该技术提供了通向 1000 层以上的路径。原型器件已成功实现 QLC（4 bits/cell）操作和高温数据保持。 这一设计的关键在于用铜直接键合替代传统连接方式实现多层晶圆的垂直堆叠，使存储阵列与 CMOS 电路分层制造后再结合，从而突破单一晶圆堆叠层数的限制。消息来自 Dan Nystedt 在 X 上的报道（2026-10-27）。
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最新进展10月27日 17:48
Kioxia 公布 MSA-CBA 超高密度 3D NAND 技术，铜直接键合堆叠通向 1000 层以上报道时间线
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10月27日
- X · Dan NystedtKioxia 公布 MSA-CBA 超高密度 3D NAND 技术，铜直接键合堆叠通向 1000 层以上
Kioxia 公布 MSA-CBA 设计，用于超高密度 3D NAND 闪存 BiCS Flash，采用铜直接键合把多片 218 层存储阵列晶圆堆叠到 CMOS 晶圆上，该技术提供通向 1000 层以上的路径。原型器件已成功实现 QLC（4 bits/cell）操作和高温数据保持。
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