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湖南天辰未来发布中国首块12英寸多晶碳化硅基板

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AI 综述

湖南钛未来科技(湖南天辰未来)发布中国首款12英寸多晶碳化硅(SiC)衬底,热导率超过280 W/(m·K),面向AI计算芯片散热和先进封装中的导热基板应用。据长沙晚报10月26日报道,该产品目前处于样品验证和小批量试产阶段,并已完成头部企业验证。 公司此前已完成6英寸和8英寸多晶SiC衬底的国产化开发,此次12英寸产品是其向更大尺寸的延伸。

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10月29日
  1. TrendForce
    湖南钛未来发布中国首款 12 英寸多晶碳化硅衬底

    湖南钛未来科技发布中国首款 12 英寸多晶碳化硅(SiC)衬底,热导率超过 280 W/(m·K),面向 AI 计算芯片散热和先进封装中的导热基板应用。产品目前处于样品验证和小批量试产阶段,并已完成头部企业验证;公司此前已完成 6 英寸和 8 英寸多晶 SiC 衬底的国产化开发。

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4
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1010月29日 10:00
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