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湖南钛未来发布中国首款 12 英寸多晶碳化硅衬底
[News] China’s First 12-Inch Polycrystalline Silicon Carbide Substrate Unveiled
AI 导读
湖南钛未来科技发布中国首款 12 英寸多晶碳化硅（SiC）衬底，热导率超过 280 W/(m·K)，面向 AI 计算芯片散热和先进封装中的导热基板应用。产品目前处于样品验证和小批量试产阶段，并已完成头部企业验证；公司此前已完成 6 英寸和 8 英寸多晶 SiC 衬底的国产化开发。
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