三星泰勒Fab 2将用2nm产HBM基底裸片，产能据称已被订满

据 Maeil Business Newspaper 援引业界消息称，三星位于美国得州 Taylor 的第二座晶圆厂（Taylor Fab 2）规划产能已全部被预订至 2030 年，AMD 占订单大头，NVIDIA 也有订单；该厂将采用 2nm 工艺生产 HBM 基底裸片。 该厂面积约 25 万平方米，约为 Taylor Fab 1 的 1.5 倍，计划 2026 年 11 月初全面动工，2029 年 2 月开始设备安装，2030 年量产。此消息来自媒体援引业界人士的说法，三星与 AMD 均未正式确认。

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