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三星与 SK hynix 拟将中国 NAND 工厂升级至 200 层以上，应对长江存储竞争
[News] Samsung, SK hynix Reportedly Push China NAND Upgrades Beyond 200 Layers as YMTC Competition Heats Up
AI 导读
据路透报道，三星计划通过内部项目 Monami 将西安工厂从约 200 层升级至 286 层 V9 NAND，SK hynix 计划将大连工厂从 192 层升级至 240 层以上，并可能寻求美方批准研发 300 层以上技术。TrendForce 估计中国分别占三星 NAND 总产出约 30–35%、SK hynix 约 40–45%。
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