三星Project Kairos拟投约192亿美元在器兴建2nm/4nm晶圆厂

媒体报道称，三星代号 Project Kairos 的项目计划在其韩国器兴园区新建 2nm/4nm 晶圆厂，估算成本约 192.3 亿美元，将该园区改造为先进晶圆代工与封装枢纽。 项目分四期建设晶圆厂，并包含公用设施大楼和变电站。新建产能主要用于生产 HBM4/HBM4E 的逻辑 base die，其中 2nm 面向 HBM5。若加上将现有 Line 6 产线改为先进封装，总投资可能达到 230.8 亿美元。

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